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SQUID Sensors

多系列SQUID放大器：涵盖单级、高输入电感及SQUID阵列，满足多元探测需要。

亚微磁通级超低噪声：磁通噪声低至0.25 μΦ?/√Hz，精准捉拿极幽微信号。

全集成超导封装：筒磁屏蔽+超导互连一体化设计，结构紧凑，装置便捷。

全温区不变运行：0-4.2 K宽温区靠得住工作，适配液氦杜瓦与绝热去磁/稀释造冷机系统。

高密度多通路集成：单芯片最高集成4通路，压缩系统体积，提升集成度。

紧凑型芯片设计：芯片尺寸2.5 mmX5.0 mm,利于高密度阵列排布。

内置磁通调控：集成加热电阻，实时解除残存磁通，动态优化器件工作点。

矫捷偏置配置：多衷飓置电阻可选，兼容各类TES探测器;支持共用/独立偏置双模式，矫捷适配分歧系统架构。

产品详情

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★ dc-SQUID 放大器重要机能参数 *


芯片尺寸2.5 mmx5.0 mm
输入焊盘尺寸500 mx475 μm Nb film
偏置和反馈焊盘尺寸300 μmx200 μm Nb film
偏置电阻R。250 μΩ
加热电阻200 Ω
工作温度0~4.2 K


型号SQB11A04SQE11A04单元
临界电流 (2Ic)1818μA
电压调造幅值2540μV
磁通电压转换系数 VΦ100200μV/Φ?
反馈互感 (1/Mfb)945μA/Φ?
输入互感 (1/Min)99μA/Φ?
调谐电感 Lt (nH)3030nH
磁通噪声 (μΦ?/√Hz) (@1kHz)22μΦ?/√Hz

通路数量

1×41×4PCS
TES 偏置共用YY—

★ SQUID 阵列放大器重要机能参数 *

参数参数值
芯片尺寸2.5 mm×5.0 mm
焊盘尺寸300 μm×300 μm Nb film
加热电阻200 Ω
工作温度0–4.2 K
型号SAP16S02SAP64S02SAP16A04单元
临界电流 (2Ic)181818μA
电压调造幅值4001600400μV
磁通电压转换系数 VΦ180072001800μV/Φ?
输入互感 (1/Min)262610μA/Φ?
反馈互感 (1/Mfb)363636μA/Φ?
阵列数量166416PCS
偏置电阻 R?0.25/1.0/10/100/5000.25/1.0/10/100/5000.25mΩ
磁通噪声 (μΦ?/√Hz) (@1kHz)0.450.250.45μΦ?/√Hz
通路数量221×4PCS
TES 偏置共用NNY—
★ 高输入电感 SQUID (Hi-SQUID) 放大器重要机能参数 *
参数参数值
芯片尺寸2.5 mm×5.0 mm
输入焊盘尺寸600 μm×400 μm Nb film
偏置和反馈焊盘尺寸300 μm×200 μm Nb film
加热电阻200 Ω
工作温度0–4.2 K


型号SQH11S02单元
临界电流 (2Ic)18μA
电压调造幅值40μV
磁通电压转换系数 VΦ200μV/Φ?
反馈互感 (1/Mfb)55μA/Φ?
输入互感 (1/Min)1.3μA/Φ?
输入等效电感（Lin）100nH
磁通噪声 (μΦ?/√Hz) (@1kHz)2μΦ?/√Hz
通路数量2PCS
※以上所有机能参数均在磁屏蔽液氦室（T=4.2 K）低温系统测试，对应数值均是典型值。



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